ＩＧＢＴの最新技術動向と次世代パワーデバイスの展望

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セミナータイトル

次世代のパワーデバイスは何になるのか？IGBTの一層の特性改善か、IGBTを凌駕するシリコンデバイスの提案か？またシリコンではなく、SiCやGaNを用いたデバイスか？

ＩＧＢＴの最新技術動向と次世代パワーデバイスの展望

セミナー概要

セミナー番号	100320
	本セミナーは申込受付を終了いたしました。各種お問い合わせはこちらから。
会　場	ＴＩＭＥ24ビル　2F　会議室B　【東京・江東区】
日　時	平成22年3月30日(火)　12：30～16：30
定　員	20名　※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
聴講料	1名につき49,980円（税込、資料付き） ※2名同時にお申込いただいた場合、1名につき10,500円割引させていただきます。 ※大学生、教員のご参加は、1名に付き受講料10,500円です。（ただし、企業に在籍されている研究員の方は除きます。）

講座の内容

【講座趣旨】

　本講習会では、最近特に注目を集めているIGBT、パワーMOSFETについて、その構造や動作原理など、開発の歴史と共に解説する。IGBTはなぜオン電圧が低いのか？なぜスイッチング損失が少ないのか？そしてなぜ壊れにくいのか？など、その優れた特性について、素子内部の電子・正孔の動きや構造などを根本から解説する。

　現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっていると言われている。IGBTが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が見え始めているという声も聞かれる。そんな中、次世代のパワーデバイスは何なのか？ IGBTの一層の特性改善か、IGBTを凌駕するシリコンデバイスの提案か？またシリコンではなく、SiCやGaNを用いたデバイスか？興味あるテーマを議論したい。

【プログラム】

１．パワーデバイスの現状

　1-1 パワーデバイスの市場動向
　1-2 パワーデバイスの市場要求

２．パワーデバイスの歴史

　2-1 BJTからパワーMOSFET、そしてIGBTへ
　2-2 IGBT開発の歴史（なぜIGBTが中・高耐圧デバイスの主役になったか）

３．IGBTの動作原理

　3-1 パワーデバイスシミュレーション技術
　3-2 IGBTの動作原理

４．IGBTの適用方法

　4-1 静特性の考え方
　4-2 動特性の考え方

５．IGBT最新技術とその応用

　5-1 最新IGBTとその特性
　5-2 今後の動向

６．SiCパワーデバイスの開発

７．GaNパワーデバイスの開発

８．まとめ

　【質疑応答】

キーワード：シリコン（Si）,シリコンカーバイド（SiC）,ガリウムナイトライド（GaN）,パワーモジュール,講習会